Rev.002をダウンロードされた方も必見!
SiCアプリケーションノート大幅改訂版Rev.003をリリース

2021年4月23日

アプリケーションノート

世界共通目標である「SDGs」達成への取り組みの中で、エネルギー問題の解決に貢献できる、次世代のパワー半導体SiCへの注目度はますます高くなっています。EV化が進む自動車市場における電力使用効率向上や、24時間稼働している産業機器の電力変換部分の効率向上に大きく貢献できるパワーデバイスとして、車両や装置への採用も急速に進んでいます。 SiCパワーデバイスは、使い慣れた従来のシリコン半導体とは材料やデバイス構造が異なり、SiCパワーデバイスの特長を活かすための使いこなし技術(高速駆動、高耐圧、高電力の回路設計やノウハウ)が必要です。今回のアプリケーションノート大幅改定版では、従来掲載していたSiCパワーデバイスの基礎的内容だけではなく、使いこなし技術や、駆動回路も含めた回路、トポロジ回路の解説を新たに追加しました。また、SiCショットキーバリアダイオードやMOSFETについては、これまでに頂いた多くの問い合わせをカバーする内容も追加しています。本アプリケーションノートを、SiCパワーデバイスを使った回路設計する際の設計参考にしていただく事で、設計トラブルを未然防止できます。SiCパワーデバイスをこれから新たに使う方だけではなく、アプリケーションノート旧バージョンをダウンロードされた方にも必見の内容です。 設計をスムーズに進めて、セットの高効率化にお役立てください。

アップデート内容

アプリケーションノート
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