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アプリケーションノート : SiC モジュールの並列発振を抑制する方法

SiC MOSFET は従来の Si デバイスと比べて、高電圧、大電流、高速駆動、低損失、高温安定性など多くの優れた点を備える新世代デバイスです。近年、この優れた特性を活かして、大電力化が進む電気自動車(EV)のトラクションインバータ回路として、複数の SiC MOSFET 素子を並列接続したパワーモジュールが使用されるケースが増えています。
その一方で、このような高速素子を並列接続して使用することにより、素子間の並列駆動発振 (以下:発振) が起きることがあります。発振が起きると素子が破壊する恐れがあるため、その抑制対策は市場での重要課題の 1 つです。
本アプリケーションノートでは、パワーモジュールの発振を効果的に抑制する方法について解説します。

[目次]

1.基礎理論
　1-1. 発振が起きるメカニズム
　1-2. 発振抑制の考え方（位相余裕度の改善）
　1-3. 位相余裕度に影響する実際のパラメータ
2. モジュールの寄生インダクタンス
　2-1. Ldd,Lgg,Lssの定義
　2-2. モジュールレイアウトにおけるLdd,Lgg,Lss
3. まとめ
4. 参考文献

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SiC MOSFET Application Note