高信頼性シリアルEEPROM

ダブルセル構造、ダブルリセット機能内蔵、高静電耐圧により、車載を含むどんなアプリケーションでも安心して使用できます。

偶発不良を撲滅した高信頼性W-Cell構造

EEPROMのデータの書き換えは、トンネル酸化膜に電子を通過させることで実現します。しかし、これによりデバイスにストレスを与えることになります。何回もの書き込みで、偶発的に酸化膜が劣化することがあります。この劣化したメモリセルは、データ"1"に固定されて書き込みができなくなります。
ロームのオートモーティブシリーズのEEPROMはすべてダブルセル構造を採用。メモリセルをOR接続にすることで、片側のセルで不良が出ても、もう一つのセルで正常に動作します。

ダブルのリセット回路内蔵で誤書き込みを防止

LSIは電源のON/OFF時に内部回路が不安定になり、EEPROMの場合は、1回でも誤動作するとそれを記憶してしまい復帰できません。
ロームのEEPROMは停電や電源ON/OFF時の低電圧状態を2つの防止回路で検出(パワーオンリセット/低電圧誤書き込み防止回路)。低電圧時に内部回路を強制リセットすることで誤書き込みを防止します。

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