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Boost Converter (Boost Diode)

説明

入力電圧を昇圧させて出力する回路です。主スイッチがオン期間にインダクタに励磁エネルギーを貯めて、オフ期間にダイオードがオンとなり、インダクタの励磁エネルギーを出力に供給します。電圧変換比Mは主スイッチのオン/オフの デューティ比Dによって決まり、次式で与えられます。
M=1/(1-D), 通常 D <= 0.8, M <= 5

概要

- Various choises of Boost Switch depend on system requirements
     - Lower cost SJ-MOSFET
     - Lower loss SiC MOSFET, IGBT
     - Smaller Package choises from 3-leads, 4-leads or 7-leads,
- Boost diode can be choosed from
     - Si Fast Recovery Diode
     - SiC Shott Key Diode

回路

Circuit

主要製品

Product Category Product Family Product Number Feature
Boost Switch 650V IGBT RGWxxTx65 series トレンチゲート技術や薄型ウェハ技術により、低VCE(sat)を実現し、スイッチング損失を低減しています。
600V SJ MOSFET R60 serires PrestoMOSTMシリーズはSuper Junction技術を用いた600~800V耐圧のパワーMOSFETシリーズ製品、高速スイッチングと低オン抵抗性能を実現。豊富なパッケージバリエーションがあります。
750V SiC MOSFET SCT4xxxDx series NEW 最新SiC MOSFET製品です。低オン抵抗の強化により、クラス最高の性能を実現。750V耐圧をサポートし従来製品より動作マージンを確保、安心してお使いいただけます。
650V SiC MOSFET SCT3xxxAx series トレンチゲート型SiC MOSFETで、当社従来品に比べ低オン抵抗(50%低減)です。
Boost Diode 650V SiC SBD SCS3xxAx series 低VFにもかかわらず高IFSMを実現、低リーク電流で安全設計を提供します
650V Si FRD RFUH series trrが短く高速スイッチングが可能なRFUHシリーズは、車載用途にも対応しています
Gate Driver Galvanic Isolated gate driver BM61x4xRFV 1ch構成、3,750Vrms絶縁タイプのGate Driver。電流ソース端子があるスイッチング素子にも対応可能

シミュレーション

C-002 : Boost Converter (Boost Diode)

関連トポロジー

- LLC Converter (Hlaf bridge, diode bridge)

- Bipolar Boost converter

- 3-Level flying capacitor booster