Boost Converter (Boost Diode)
説明
入力電圧を昇圧させて出力する回路です。主スイッチがオン期間にインダクタに励磁エネルギーを貯めて、オフ期間にダイオードがオンとなり、インダクタの励磁エネルギーを出力に供給します。電圧変換比Mは主スイッチのオン/オフの デューティ比Dによって決まり、次式で与えられます。
M=1/(1-D), 通常 D <= 0.8, M <= 5
概要
- Various choises of Boost Switch depend on system requirements
- Lower cost SJ-MOSFET
- Lower loss SiC MOSFET, IGBT
- Smaller Package choises from 3-leads, 4-leads or 7-leads,
- Boost diode can be choosed from
- Si Fast Recovery Diode
- SiC Shott Key Diode
回路
主要製品
| Product Category | Product Family | Product Number | Feature |
|---|---|---|---|
| Boost Switch | 650V IGBT | RGWxxTx65 series | トレンチゲート技術や薄型ウェハ技術により、低VCE(sat)を実現し、スイッチング損失を低減しています。 |
| 600V SJ MOSFET | R60 serires | PrestoMOSTMシリーズはSuper Junction技術を用いた600～800V耐圧のパワーMOSFETシリーズ製品、高速スイッチングと低オン抵抗性能を実現。豊富なパッケージバリエーションがあります。 | |
| 750V SiC MOSFET | SCT4xxxDx series NEW | 最新SiC MOSFET製品です。低オン抵抗の強化により、クラス最高の性能を実現。750V耐圧をサポートし従来製品より動作マージンを確保、安心してお使いいただけます。 | |
| 650V SiC MOSFET | SCT3xxxAx series | トレンチゲート型SiC MOSFETで、当社従来品に比べ低オン抵抗（50%低減）です。 | |
| Boost Diode | 650V SiC SBD | SCS3xxAx series | 低VFにもかかわらず高IFSMを実現、低リーク電流で安全設計を提供します |
| 650V Si FRD | RFL series | RFNシリーズより高速スイッチング特性を改善、650Vの高耐圧を実現。 | |
| 650V Si FRD | RFUH series | trrが短く高速スイッチングが可能なRFUHシリーズは、車載用途にも対応しています | |
| Gate Driver | Galvanic Isolated gate driver | BM61x4xRFV | 1ch構成、3,750Vrms絶縁タイプのGate Driver。電流ソース端子があるスイッチング素子にも対応可能 |
シミュレーション
C-002 : Boost Converter (Boost Diode)
関連トポロジー
Bidirectional Buck-Boost converter