3-Level Flying Capacitor Booster
説明
このトポロジーでは、追加の電圧レベルは、いわゆるフライングキャパシタと呼ばれるコンデンサによって合成される。
フライングキャパシタの電圧は、出力電圧の半分です。このコンデンサは、VOUT/2で出力電圧をプラス方向とマイナス方向にオフセットすることができます。
3レベル化により，MOSFETやDiodeにかかる電圧ストレスが軽減されます。その結果、EMI、電流、電圧リップルが低減されます。
概要
- 3-level topology reduce stress on semiconductor devices
- Various choises of Boost Switch depend on system requirements
- Lower loss SiC MOSFET, IGBT
- Smaller Package choises from 3-leads, 4-leads or 7-leads,
- SiC Shott Key Diode provide lower loss
回路
主要製品
| Product Category | Product Family | Product Number | Feature |
|---|---|---|---|
| Boost Switch | 650V IGBT | RGWxxTx65 series | トレンチゲート技術や薄型ウェハ技術により、低VCE(sat)を実現し、スイッチング損失を低減しています。 |
| 750V SiC MOSFET | SCT4xxxDx series | 最新SiC MOSFET製品です。低オン抵抗の強化により、クラス最高の性能を実現。750V耐圧をサポートし従来製品より動作マージンを確保、安心してお使いいただけます。 | |
| 650V SiC MOSFET | SCT3xxxAx series | トレンチゲート型SiC MOSFETで、当社従来品に比べ低オン抵抗（50%低減）です。 | |
| Boost Diode | 650V SiC SBD | SCS3xxAx series | 低VFにもかかわらず高IFSMを実現、低リーク電流で安全設計を提供します |
| Gate Driver | Galvanic Isolated gate driver | BM61x4xRFV | 1ch構成、3,750Vrms絶縁タイプのGate Driver。電流ソース端子があるスイッチング素子にも対応可能 |