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Full bridge (H bridge) inverter (1-phase application)

説明

シンプルでよく使用されているHブリッジ型のインバータ。各スイッチの印加電圧がVin, 0Vの2値を取るため2レベルインバータとも言われる。

概要

- 4 MOSFETs conform full bridge, it is also called H-bridge
- Very popular topology
- Various choises of Boost Switch depend on system requirements
     - Lower cost SJ-MOSFET
     - Lower loss SiC MOSFET, IGBT
     - Smaller Package choises from 3-leads, 4-leads or 7-leads,

回路

Circuit

主要製品

Product Category Product Family Product Number Feature
Full bridge 650V IGBT RGWxxTx65 series トレンチゲート技術や薄型ウェハ技術により、低VCE(sat)を実現し、スイッチング損失を低減しています。
600V SJ MOSFET R60 serires PrestoMOSTMシリーズはSuper Junction技術を用いた600~800V耐圧のパワーMOSFETシリーズ製品、高速スイッチングと低オン抵抗性能を実現。豊富なパッケージバリエーションがあります。
750V SiC MOSFET SCT4xxxDx series 最新SiC MOSFET製品です。低オン抵抗の強化により、クラス最高の性能を実現。750V耐圧をサポートし従来製品より動作マージンを確保、安心してお使いいただけます。
650V SiC MOSFET SCT3xxxAx series トレンチゲート型SiC MOSFETで、当社従来品に比べ低オン抵抗(50%低減)です。
Gate Driver Galvanic Isolated gate driver BM61x4xRFV 1ch構成、3,750Vrms絶縁タイプのGate Driver。電流ソース端子があるスイッチング素子にも対応可能

シミュレーション

B-004 Full Bridge Inverter

関連トポロジー

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