Full bridge (H bridge) inverter (1-phase application)
説明
シンプルでよく使用されているHブリッジ型のインバータ。各スイッチの印加電圧がVin, 0Vの2値を取るため2レベルインバータとも言われる。
概要
- 4 MOSFETs conform full bridge, it is also called H-bridge
- Very popular topology
- Various choises of Boost Switch depend on system requirements
- Lower cost SJ-MOSFET
- Lower loss SiC MOSFET, IGBT
- Smaller Package choises from 3-leads, 4-leads or 7-leads,
回路
主要製品
| Product Category | Product Family | Product Number | Feature |
|---|---|---|---|
| Full bridge | 650V IGBT | RGWxxTx65 series | トレンチゲート技術や薄型ウェハ技術により、低VCE(sat)を実現し、スイッチング損失を低減しています。 |
| 600V SJ MOSFET | R60 serires | PrestoMOSTMシリーズはSuper Junction技術を用いた600～800V耐圧のパワーMOSFETシリーズ製品、高速スイッチングと低オン抵抗性能を実現。豊富なパッケージバリエーションがあります。 | |
| 750V SiC MOSFET | SCT4xxxDx series | 最新SiC MOSFET製品です。低オン抵抗の強化により、クラス最高の性能を実現。750V耐圧をサポートし従来製品より動作マージンを確保、安心してお使いいただけます。 | |
| 650V SiC MOSFET | SCT3xxxAx series | トレンチゲート型SiC MOSFETで、当社従来品に比べ低オン抵抗（50%低減）です。 | |
| Gate Driver | Galvanic Isolated gate driver | BM61x4xRFV | 1ch構成、3,750Vrms絶縁タイプのGate Driver。電流ソース端子があるスイッチング素子にも対応可能 |
シミュレーション
関連トポロジー
HERIC inverter (1-phase application)
3-Level NPC TYPE-I inverter (3-phase application)