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Nch 100V 55A Power MOSFET - RSJ550N10

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

技術資料

アプリケーションノート

MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
 
MOSFET の仕様書に記載している許容損失と熱抵抗について
MOSFETの仕様書に記載している用語説明
 
MOSFETの仕様書に記載している用語に関する定義・説明
MOSFET の破壊メカニズムについて
 
仕様書に記載している電気的要因、熱的要因が原因の、MOSFETが破壊するメカニズムについて説明
NE ハンドブックシリーズ
 
パワー半導体
使用上の注意
 
素子温度について
使用上の注意
 
安心してお使いいただくために
形名の構成
 
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デザインモデル

SPICEモデル
 
RSJ550N10のSPICEモデルをダウンロード
Thermal Model
 
Download RSJ550N10 Thermal Model

基礎情報(環境データなど) Batch Download 

パッケージ情報

外形寸法図
 
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内部構造図
 
For RSJ550N10
包装仕様
 
For LPTS package
標印仕様説明
 
For LPTS package
耐湿レベルについて
 
For Transistors
耐ウィスカ性能について
 
For Transistors
はんだ付け条件
 
For LPTS package

環境データ

構成物質一覧表 - クリックしてお問い合わせください
 
Constitution Materials List - Please contact us by filling in the form.
 
UL難燃性について
 
For Transistors
REACH規制-高懸念物質非含有について
 
For Transistors
RoHS/ELV指令適合証明書
 
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信頼性情報

信頼性試験結果
 
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製品個別データ

静電気耐圧データ
 
For RSJ550N10

輸出関連情報

輸出貿易管理令について
 
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