Nch 200V 10A Power MOSFET - RD3T100CN

RD3T100CNは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。スイッチングなどの用途に最適です。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

技術資料

アプリケーションノート

MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
 
MOSFET の仕様書に記載している許容損失と熱抵抗について
MOSFETの仕様書に記載している用語説明
 
MOSFETの仕様書に記載している用語に関する定義・説明
MOSFET の破壊メカニズムについて
 
仕様書に記載している電気的要因、熱的要因が原因の、MOSFETが破壊するメカニズムについて説明
スイッチング波形のモニタ方法
 
このアプリケーションノートは、スイッチング電源やモータドライブ回路などにおけるパワーデバイス素子のスイッチング波形の正しいモニタ方法を説明します。
NE ハンドブックシリーズ
 
パワー半導体
形名の構成
 
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基礎情報(環境データなど) Batch Download 

パッケージ情報

耐湿レベルについて
 
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耐ウィスカ性能について
 
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環境データ

UL難燃性について
 
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REACH規制-高懸念物質非含有について
 
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RoHS/ELV指令適合証明書
 
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輸出関連情報

輸出貿易管理令について
 
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