Rohm Productdetail
4Ｖ駆動タイプ Pch+Pch MOSFET - QS8J5
電界効果トランジスタのMOSFET。Pch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
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技術資料
アプリケーションノート
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MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
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MOSFET の仕様書に記載している許容損失と熱抵抗について
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MOSFETの仕様書に記載している用語説明
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MOSFETの仕様書に記載している用語に関する定義・説明
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MOSFET の破壊メカニズムについて
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仕様書に記載している電気的要因、熱的要因が原因の、MOSFETが破壊するメカニズムについて説明
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NE ハンドブックシリーズ
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パワー半導体
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使用上の注意
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素子温度について
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使用上の注意
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安心してお使いいただくために
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形名の構成
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For Transistors
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デザインモデル
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SPICEモデル
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QS8J5のSPICEモデルをダウンロード
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Thermal Model
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Download QS8J5 Thermal Model
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基礎情報（環境データなど） Batch Download
パッケージ情報
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外形寸法図
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For TSMT8 package
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内部構造図
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For QS8J5
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包装仕様
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For TSMT8 package
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標印仕様説明
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For TSMT8 package
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耐湿レベルについて
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For Transistors
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耐ウィスカ性能について
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For Transistors
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はんだ付け条件
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For TSMT8 package
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環境データ
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構成物質一覧表
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For QS8J5
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UL難燃性について
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For Transistors
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REACH規制-高懸念物質非含有について
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For Transistors
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RoHS/ELV指令適合証明書
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For Transistors
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信頼性情報
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信頼性試験結果
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For QS8J5
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製品個別データ
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静電気耐圧データ
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For QS8J5
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輸出関連情報
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輸出貿易管理令について
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For Transistors
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