主な仕様
特性:
Package Code
TO-236AB (SOT-23)
Number of terminal
3
Polarity
NPN
Supply voltage VCC 1[V]
50
Collector current Io (Ic) [A]
0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]
100
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]
100
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]
50
Collector current Io(Ic) [A]
0.1
Power Dissipation (PD)[W]
0.2
Mounting Style
Surface mount
Output Current [A]
0.02
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
2.4x2.9 (t=1.2)
特長:
- NPN epitaxial planar silicon transistor (Resistor built-in type)
- 内蔵抵抗:R1= R2= 100kΩ。
- 入力側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成できる。(内部回路図参照)
- 入力電圧の設定でオン/オフ制御ができるため、回路の設計が容易に行える。
- コンプリメンタリ:DTA115ECA(PNPタイプ)