SCS312AM
650V, 12A, THD, 高サージ電流耐量 SiCショットキーバリアダイオード

SCS312AMはVF特性を改善しつつ、大幅にサージ電流耐量IFSMを向上させた第三世代のSiCショットキーバリアダイオードです。サージ電流が印加されるようなイレギュラ動作時においても安心して使うことができます。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
データシート 在庫確認*
  • ドキュメント  
  • モデルとツール  
  • パッケージと品質データ  
  • FAQ
  • お問い合わせ

主な仕様

 
形名 | SCS312AMC
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-220FM2L
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 50
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

尖頭逆方向電圧 [V]

650

IF [A]

12.0

PD [W]

36

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

特長:

  • リカバリー時間が短い。
  • 特性の温度依存性が少ない。
  • 高速スイッチングが可能。
  • 高サージ電流耐量である。
SHOW/HIDE COLUMNS
新商品一覧

デザインリソース

 

ドキュメント

ホワイトペーパー

  • SiCパワーデバイスと駆動ICを一括検証できる業界最先端のWebシミュレーションツール「ROHM Solution Simulator」
  • 採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション

技術記事

回路設計・検証

  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • SiC パワーデバイス・モジュール
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは（SiCパワーデバイス）
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱モデルの使い方
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • SCS312AM SPICE Simulation Evaluation Circuit
  • SCS312AM SPICE Model
  • SCS312AM Thermal Model (lib)

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について

環境データ

  • UL難燃性について
  • ELV指令適合証明書
  • Report of SVHC under REACH Regulation

輸出関連情報

  • 米国輸出規制 (EAR) について