SCS312AM
650V, 12A, THD, SiCショットキーバリアダイオード
スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。
主な仕様
特性:
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
12
Generation
3rd Gen
Total Power Dissipation[W]
36
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
10.1x19.1 (t=4.8)
特長:
- リカバリー時間が短い。
- 特性の温度依存性が少ない。
- 高速スイッチングが可能。
- 高サージ電流耐量である。
