SCS212AJ
650V, 12A, SMD, SiCショットキーバリアダイオード

スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能になります。 4pinパッケージ

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | SCS212AJTLL
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-263AB (LPTL)
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

尖頭逆方向電圧 [V]

650

IF [A]

12.0

PD [W]

88

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

特長:

・リカバリー時間が短い。
・高速スイッチングが可能。
・特性の温度依存性が少ない。
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新商品一覧

デザインリソース

 

ドキュメント

ホワイトペーパー

  • SiCパワーデバイスと駆動ICを一括検証できる業界最先端のWebシミュレーションツール「ROHM Solution Simulator」
  • 採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション

技術記事

回路設計・検証

  • [NEW]SiC パワーデバイス・モジュール アプリケーションノート
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは（SiCパワーデバイス）
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱モデルの使い方
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • SCS212AJ SPICE Simulation Evaluation Circuit
  • SCS212AJ SPICE Model
  • SCS212AJ Thermal Model (lib)

特性データ

  • ESD Data

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 内部構造図
  • 包装仕様
  • 標印仕様説明
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について
  • はんだ付け条件

製造データ

  • 信頼性試験結果

環境データ

  • 構成物質一覧表
  • UL難燃性について
  • ELV指令適合証明書
  • Report of SVHC under REACH Regulation

輸出関連情報

  • 米国輸出規制 (EAR) について