S6302
1200V, 10A, SiCショットキーバリアダイオード Bare Die
S6302
主な仕様
特性:
Reverse Voltage[V]
1200
Continuous Forward Current[A]
10
Generation
2nd Gen
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
特長:
· リカバリ時間が短い· 高速スイッチングが可能
· 特性の温度依存性が少ない