BST47T1P4K01-VC (新製品)
HSDIP20, 750V, 47A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
BST47T1P4K01-VC (新製品)
HSDIP20, 750V, 47A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
BST47T1P4K01は、750V耐圧のSiCモールドタイプモジュールで、OBCのPFCやLLCコンバータに最適な6in1構成を採用しています。HSDIP20パッケージは、高い放熱性能の絶縁基板を内蔵しているため、大電力動作時でもチップ温度の上昇が抑制され、小型パッケージでありながら大電流対応を実現。上面放熱タイプのディスクリートと比べて3倍以上、同じDIPタイプモジュールと比較しても1.4倍以上となる高電力密度を達成しています。これにより、上述したPFC回路において、HSDIP20は上面放熱タイプのディスクリートよりも実装面積を約52％削減できるため、OBC等における電力変換回路の小型化に大きく貢献します。様々なハイパワーアプリケーションの電力変換回路で求められる基本回路を小型のモジュールパッケージに内蔵しているため、設計工数削減とOBC等における電力変換回路の小型化に貢献します。電動パワートレインの高出力・小型化に貢献する製品として、次世代車載向けSiCソリューションの中核を担います。アプリケーション例
主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain Current[A]
47
Total Power Dissipation[W]
227
Junction Temperature (Max.) [℃]
175
Storage Temperature (Min.) [℃]
-40
Storage Temperature (Max.) [℃]
125
Package
3-Phase-bridge
Package Size [mm]
38.0x31.3 (t=3.5)
Common Standard
AQG-324
特長:
- HSDIP20 package with the 4th Generation SiC-MOSFET
- VDSS = 750V
- Low RDS(on)
- High-speed switching possible
- Low switching losses
- Tvjmax = 175°C
- Compact design
- With high thermal conductivity isolation
- Integrated NTC temperature sensor
- 4.2kV AC 1s insulation
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