BSM080D12P2C008
1200V, 80A, ハーフブリッジ フルSiCパワーモジュール

ローム製SiC-DMOSとSiCショットキーバリアダイオードを用いたハーフブリッジ構成のSiCモジュールです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | BSM080D12P2C008
供給状況 | 推奨品
パッケージ | C
包装数量 | 12
最小個装数量 | 12
包装形態 | 段ボール
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

ID [A]

80

PD [W]

600

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-40

保存温度範囲 (Max.)[℃]

125

内部回路

Half bridge

パッケージサイズ [mm]

122x45.6 (t=17.5)

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特長:

  • 低サージ・低損失
  • 高速スイッチング
  • 特性の温度依存性が低い

評価ボード

 
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    • This evaluation board, BSMGD3C12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules in C type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.

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