SiC パワーモジュール - BSM080D12P2C008 | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor - japan

Rohm Productdetail

SiC パワーモジュール - BSM080D12P2C008

ローム製SiC-DMOSとSiCショットキーバリアダイオードを用いたハーフブリッジ構成のSiCモジュールです。

在庫確認* FAQ Contact Us データシート

外観

VIEW

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

在庫確認* FAQ Contact Us データシート

形名 | BSM080D12P2C008

供給状況 | 供給中

パッケージ | C

包装数量 | 12

最小個装数量 | 12

包装形態 | トレイ

RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

ID [A]

80.0

PD [W]

600

ジャンクション温度 (Max.)[°C]

175

保存温度範囲(Min.)[°C]

-40

保存温度範囲(Max.)[°C]

125

内部回路

Half bridge

特長:

低サージ・低損失
高速スイッチング
特性の温度依存性が低い

サポートリンク:

SiC（シリコンカーバイド）特設サイト
低オン抵抗や高温度環境下での動作特性に優れ、次世代の低損失素子として期待されているSiC（シリコンカーバイド）。省電力化のキーデバイスとして、ロームは世界に先駆けてSiCパワーデバイスとモジュールの開発に取り組んでいます。
SiC（シリコンカーバイド）特設サイト

新しく追加された製品

関連する新製品 / 更新製品BSM080D12P2C008

形名	Product Series	ネット商社在庫
BSM180C12P2E202	SiC パワーモジュール	お問い合わせ
BSM400D12P3G002	SiC パワーモジュール	お問い合わせ
BSM600D12P3G001	SiC パワーモジュール	お問い合わせ
BSM180C12P3C202	SiC パワーモジュール	お問い合わせ
BSM300C12P3E201	SiC パワーモジュール	お問い合わせ
BSM120C12P2C201	SiC パワーモジュール	お問い合わせ

形名 BSM180C12P2E202	データシート
Product Series SiC パワーモジュール
お問い合わせ

形名 BSM400D12P3G002	データシート
Product Series SiC パワーモジュール
お問い合わせ

形名 BSM600D12P3G001	データシート
Product Series SiC パワーモジュール
お問い合わせ

形名 BSM180C12P3C202	データシート
Product Series SiC パワーモジュール
お問い合わせ

形名 BSM300C12P3E201	データシート
Product Series SiC パワーモジュール
お問い合わせ

形名 BSM120C12P2C201	データシート
Product Series SiC パワーモジュール
お問い合わせ

新商品一覧

ROHM-Header

SiC パワーモジュール - BSM080D12P2C008 | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor - japan

Rohm Breadcrumb

Rohm Productdetail

SiC パワーモジュール - BSM080D12P2C008

特性:

特長:

サポートリンク:

新しく追加された製品