SCT4062KEHR
1200V, 26A, 3端子THD, トレンチ構造 自動車向けSiC-MOSFET
SCT4062KEHRは1200V, 26AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。
ロームの第4世代SiC MOSFET
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
主な仕様
特性:
VDS [V]
1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
62
世代
4th Gen (Trench)
ID [A]
26
PD [W]
115
ジャンクション温度 (Max.)[℃]
175
保存温度範囲 (Min.) [℃]
-40
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
パッケージサイズ [mm]
16x21 (t=5.2)
標準規格
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特長:
- Qualified to AEC-Q101
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
