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N-channel Silicon Carbide Power MOSFET - SCT3120AL

SCT3120ALは650V 21AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | SCT3120ALGC11
供給状況 | 供給中
パッケージ | TO-247N
包装数量 | 450
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

650

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

120.0

ID [A]

21.0

PD [W]

103

ジャンクション温度 (Max.)[°C]

175

保存温度範囲 (Min.) [°C]

-55

保存温度範囲 (Max.)[°C]

175

特長:

・ 低オン抵抗
・ 高速スイッチングスピード
・ 高速リカバリー
・ 並列使用が容易
・ 駆動回路が簡単
・ Pbフリー対応済み、 RoHS準拠