650V 38A, 7端子SMD, トレンチ構造, SiC-MOSFET - SCT3060AW7 (新製品)
SCT3060AW7は650V 38AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。
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特性:
VDS [V]
650
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
60.0
ID [A]
38.0
PD [W]
159
ジャンクション温度 (Max.)[℃]
175
保存温度範囲 (Min.) [℃]
-55
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
特長:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant