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N-channel Silicon Carbide Power MOSFET - SCT3030AL

SCT3030ALは650V 70AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | SCT3030ALGC11
供給状況 | 供給中
パッケージ | TO-247N
包装数量 | 450
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

650

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

30

ID [A]

70.0

PD [W]

262

ジャンクション温度 (Max.)[°C]

175

保存温度範囲(Min.)[°C]

-55

保存温度範囲(Max.)[°C]

175

特長:

・ 低オン抵抗
・ 高速スイッチングスピード
・ 高速リカバリー
・ 並列使用が容易
・ 駆動回路が簡単
・ Pbフリー対応済み、 RoHS準拠