SCT4036KW7
1200V, 40A, 7端子SMD, トレンチ構造, SiC-MOSFET
SCT4036KW7は1200V, 40AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。
ロームの第4世代SiC MOSFET
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
40
Total Power Dissipation[W]
150
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
特長:
- 低オン抵抗
- 高速スイッチングスピード
- 高速リカバリー
- 並列使用が容易
- シンプルな駆動回路
- Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット
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- Evaluation Board - HB2637L-EVK-301
The evaluation board is configured in a half bridge set up and thus allows evaluations in different operations modes such as buck, boost, synchronous buck/boost and inverter operations. The board is equipped with two SiC MOSFETs(SCT4036KW7), isolated gate driver BM61S41RFV-C, isolated power supply required for the gate driver, LDO for 5V supply and easy to interface connectors for PWM signals.