ROHM Product Detail

SCT4036KW7
1200V, 40A, 7端子SMD, トレンチ構造, SiC-MOSFET

SCT4036KW7は1200V, 40AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。

ロームの第4世代SiC MOSFET
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | SCT4036KW7TL
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-263-7L
包装形態 | テーピング
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

36

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

40

Total Power Dissipation[W]

150

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

15.4x10.2 (t=4.7)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチングスピード
  • 高速リカバリー
  • 並列使用が容易
  • シンプルな駆動回路
  • Pbフリー対応済み、 RoHS準拠

リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット

 
    • Evaluation Board - HB2637L-EVK-301
    • The evaluation board is configured in a half bridge set up and thus allows evaluations in different operations modes such as buck, boost, synchronous buck/boost and inverter operations. The board is equipped with two SiC MOSFETs(SCT4036KW7), isolated gate driver BM61S41RFV-C, isolated power supply required for the gate driver, LDO for 5V supply and easy to interface connectors for PWM signals.

  • Quick Start Guide User's Guide