S4108
1200V, 31A, SiC-MOSFET Bare Die
S4108
S4108
1200V, 31A, SiC-MOSFET Bare Die
S4108はSiC（シリコンカーバイド）によるパワーMOSFETです。高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。
データシート
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
車載機器への使用は推奨されていません。
主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
80
Generation
3rd Gen
Drain Current[A]
31
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
特長:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
