ROHM Product Detail

S4108
1200V, 31A, SiC-MOSFET Bare Die

S4108はSiC（シリコンカーバイド）によるパワーMOSFETです。高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。

データシート 在庫確認
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | S4108
供給状況 | 購入可能
パッケージ |
包装数量 | 0
最小個装数量 | 0
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

80

Generation

3rd Gen

Drain Current[A]

31

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

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特長:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
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