Rohm Breadcrumb

Rohm Productdetail

N-channel SiC パワーMOSFET Bare die - S2305

S2305はSiCによるプレーナタイプMOSFETです。高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。

SiC豆知識 SiC半導体デバイスの特徴を解説SiCパワーデバイスのアプリケーションノートローム製SiCデバイス採用事例紹介ビデオアーカイブ ロームの最新SiCデバイスのエンジニアプレゼン動画

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | S2305
供給状況 | 供給中
パッケージ |
包装数量 |
最小個装数量 |
包装形態 |
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

450.0

ID [A]

10.0

ジャンクション温度 (Max.)[°C]

175

保存温度範囲 (Min.) [°C]

-55

保存温度範囲 (Max.)[°C]

175

特長:

· 低オン抵抗
· 高速スイッチングスピード
· 高速リカバリー
· 並列使用が容易
· 駆動回路が簡単