N-channel SiC パワーMOSFET Bare die - S2305 | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor
Rohm Productdetail
N-channel SiC パワーMOSFET Bare die - S2305
S2305はSiCによるプレーナタイプMOSFETです。高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
×
特性:
VDS [V]
1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
450.0
ID [A]
10.0
ジャンクション温度 (Max.)[°C]
175
保存温度範囲 (Min.) [°C]
-55
保存温度範囲 (Max.)[°C]
175
特長:
· 低オン抵抗· 高速スイッチングスピード
· 高速リカバリー
· 並列使用が容易
· 駆動回路が簡単
