N-channel SiC パワーMOSFET Bare die - S2305 | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor - japan

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N-channel SiC パワーMOSFET Bare die - S2305

S2305はSiCによるプレーナタイプMOSFETです。高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

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形名 | S2305

供給状況 | 供給中

パッケージ |

包装数量 |

最小個装数量 |

包装形態 |

RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

450

ID [A]

10.0

ジャンクション温度 (Max.)[°C]

175

保存温度範囲 (Min.)[°C]

-55

保存温度範囲 (Max.)[°C]

175

特長:

· 低オン抵抗
· 高速スイッチングスピード
· 高速リカバリー
· 並列使用が容易
· 駆動回路が簡単

サポートリンク:

SiC（シリコンカーバイド）特設サイト
低オン抵抗や高温度環境下での動作特性に優れ、次世代の低損失素子として期待されているSiC（シリコンカーバイド）。省電力化のキーデバイスとして、ロームは世界に先駆けてSiCパワーデバイスとモジュールの開発に取り組んでいます。
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