主な仕様
特性:
電源電圧(Vcc) [V]
2.5 to 5.5
ピ－ク電流設定 [A]
0.5 to 2.0
満充電検出電圧 [V]
1±1.1%
100nsecパルスAC満充電検出電圧 [V]
1.0−1.1% to ±1.6%
Full端子出力
Nch Open drain
パワ－トランジスタSat電圧 ISW=1A [V]
0.4
IgbtOutN [mA]
30
IgbtOutP [mA]
140
パッケージサイズ
3x2 (t=0.6)
特長:
- 低Vth48V 耐圧DMOS内蔵
- RADJ端子によりトランスの１次側ピーク電流を調整可能
- START端子により充電動作制御切替可能
- 高精度満充電電圧検出回路および出力端子付
- 各種保護回路内蔵(TSD, UVLO, SDP)
- IGBTドライバー内蔵
- 低Vth 入力端子電圧(START、IGBT_IN)
