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DDR-SDRAM向けターミネーション用リニア電源 - BD3539NUX

BD3539NUXは、JEDEC準拠のDDR1-SDRAM、DDR2-SDRAM、DDR3-SDRAMに対応する、ターミネーション・レギュレータです。N-MOSFETを内蔵しシンク/ソースで最大1Aまで供給できるリニア電源です。内部のOP-AMPを高速設計することで優れた過渡応答特性を実現しています。内部のN-MOSFETを駆動するため、バイアス用電源に、3.3V (DDR2, DDR3)もしくは5.0V (DDR1, DDR2, DDR3) が必要です。JEDECで定められた電圧精度を保つために、独立した基準入力ピン(VDDQ)と独立したフィードバックピン(VTTS)を持っており、優れた出力電圧精度、ロードレギュレーションを実現しています。また、DDR-SDRAM、メモリコントローラ用の基準電源出力ピン(VREF)を持っています。ENピン=Lの場合、VTT出力は、Hi-Zとなっていますが、VREF出力は維持されており、DDR-SDRAMのSelf Refreshステートに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | BD3539NUX-TR
供給状況 | 供給中
パッケージ | VSON008X2030
包装数量 | 4000
最小個装数量 | 4000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

ch

1

Vin(Min.)[V]

2.7

Vin(Max.)[V]

5.5

Vout (Typ)[V]

0.75 to 1.25

Iout(Max.)[A]

1.0

Thermal Shut-down

Recover

Under Voltage Lock Out

Yes

Soft Start

Yes

動作温度範囲(Min.)[°C]

-30

動作温度範囲(Max.)[°C]

100

特長:

· ターミネーション用プシュプル電源内蔵(VTT)
· 基準電圧回路内蔵(VREF)
· イネイブル機能内蔵
· 低入力誤動作防止回路内蔵(UVLO)
· 過熱保護回路内蔵(TSD)
· Dual Channel 対応(DDR1, DDR2, DDR3)
· 出力コンデンサにセラミックコンデンサ使用可能