BM3GF01MUV-LBZ (開発中)
650V Gan HEMT内蔵力率改善IC
BM3GF01MUV-LBZ (開発中)
650V Gan HEMT内蔵力率改善IC
本製品は産業機器市場へ向けたランクの製品です。これらのアプリケーションとして、ご使用される場合に最適な商品です。BM3GF01MUV-LBZ,BM3GF02MUV-LBZはスイッチングデバイスとなる650V耐圧GaN HEMTと力率改善コンバータ（Power Factor Correction: PFC）を内蔵し、力率改善が必要な製品すべてに小型で最適なシステムを供給します。PFC部は臨界モード制御を採用し、ゼロ電流検出によりスイッチング損失低減とノイズ低減が可能です。GaN HEMTを内蔵し、小型化と高効率に貢献します。また、本ICはROHM品のGaN内蔵QR ICと組み合わせることで、PFC ON/OFFの外部制御が可能になります。PFCが不要なスタンバイ時などにPFCを停止させることで低待機電力に貢献します。
主な仕様
特性:
Controller Type
PFC
Channel
1
Zero Detect
Auxiliary Winding
W/W Input IEC61000-3-2 Class-C Support
Yes (LowTHD)
Vin1 (Typ.)[V]
2.5
Reference Voltage Accuracy (%)
1.5
Brown Out
No
VCC Discharge
Yes
OVP System
1 way
FET
-
VS Pin Over Voltage Protection (L/A)
Auto Restart
Vin1(Max.)[V]
38
VS Short Protection (L/A)
Auto Restart
BR PIN
No
Startup VOUT Overshoot Countermeasure Function
Yes
SW Frequency (Max.)[kHz]
250
Light Load mode
Yes
EN
Yes
Thermal Shut-down
Yes
Vmax (DrainMax) [V]
650
FET Withstand Voltage [V]
650
Under Voltage Lock Out
Yes
On Resistor (MOSFET)[Ω]
0.15
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
125
Package Size [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
特長:
- 650V耐圧GaN HEMT内蔵
- 650V耐圧起動回路内蔵
- 臨界モードPFC
- ターンOFFのスルーレート調整端子
- 低THD回路内蔵
- PFCOFF端子によるON/OFF制御
- VCC端子のUVLO機能
- ZCD補助巻線検知
- VS端子によるStatic OVP機能
- VS端子によるエラーアンプ入力ショート保護
- 起動時過昇圧低減機能
- サイクル毎の過電流保護
