RSJ151P10
Pch 100V 15A Power MOSFET

4V Drive Pch MOSFET

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RSJ151P10TL
供給状況 | 推奨品
パッケージ | LPTS (D2PAK)
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TO-263 (D2PAK)

JEITAパッケージ

SC-83

パッケージサイズ[mm]

10.1x13.1 (t=4.5)

端子数

3

極性

Pch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

-100

ドレイン電流 (直流) ID [A]

-15.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.1

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.085

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.1

ゲート総電荷量 Qg [nC]

64.0

許容損失 PD [W]

50.0

駆動電圧 [V]

-4.0

実装方式

Surface mount

特長:

・ Low on-resistance.
・ Fast switching speed.
・ Drive circuits can be simple.
・ Parallel use is easy.
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
・ 100% Avalanche tested

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域(SOA)の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • MOSFETの仕様書に記載している用語説明
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • MOSFET の破壊メカニズムについて
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは(トランジスタ)
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

シミュレーション(ログイン必要)

  • 回路データのエクスポート方法 (ROHM Solution Simulator)

デザインモデル

  • RSJ151P10 SPICE Model
  • RSJ151P10 Thermal Model (lib)

特性データ

  • 静電気耐圧データ

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 内部構造図
  • 包装仕様
  • 標印仕様説明
  • はんだ付け条件
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について

製造データ

  • 信頼性試験結果

環境データ

  • Constitution Materials List - Please contact us by filling in the form.
  • 構成物質一覧表 - クリックしてお問い合わせください
  • UL難燃性について
  • REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
  • RoHS/ELV指令適合証明書

輸出関連情報

  • 輸出貿易管理令について