RQ6E030SP
Pch -30V -3A 小信号MOSFET

RQ6E030SPは低オン抵抗でゲート保護ダイオード内蔵のスイッチング用MOSFETです。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RQ6E030SPTR
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TSMT6
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

SOT-457T

JEITAパッケージ

SC-95

パッケージサイズ[mm]

2.9x2.8 (t=1.0)

端子数

6

極性

Pch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

-30

ドレイン電流 (直流) ID [A]

-3.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.1

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.09

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.06

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.1

ゲート総電荷量 Qg [nC]

6.0

許容損失 PD [W]

1.25

駆動電圧 [V]

-4.0

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • ゲート保護ダイオード内蔵
  • 小型面実装パッケージ(TSMT6)で省スペース
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域(SOA)の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • MOSFETの仕様書に記載している用語説明
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • MOSFET の破壊メカニズムについて
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは(トランジスタ)
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • RQ6E030SP SPICE Model

特性データ

  • RQ6E030SP ESD Data

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 包装仕様
  • 標印仕様説明
  • はんだ付け条件
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について

環境データ

  • UL難燃性について
  • REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
  • RoHS/ELV指令適合証明書

輸出関連情報

  • 輸出貿易管理令について