RQ6E030SP
Pch -30V -3A 小信号MOSFET

RQ6E030SPは低オン抵抗でゲート保護ダイオード内蔵のスイッチング用MOSFETです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RQ6E030SPTR
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TSMT6
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

SOT-457T

パッケージサイズ [mm]

2.9x2.8 (t=1)

JEITAパッケージ

SC-95

端子数

6

極性

Pch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

-30

ドレイン電流 (直流) ID [A]

-3.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.1

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.09

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.06

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.1

ゲート総電荷量 Qg [nC]

6.0

許容損失 PD [W]

1.25

駆動電圧 [V]

-4.0

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • ゲート保護ダイオード内蔵
  • 小型面実装パッケージ(TSMT6)で省スペース
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠

デザインリソース

 

モデルとツール

デザインモデル

特性データ