RQ3G110AT
Pch -40V -35A, HSMT8, Power MOSFET

RQ3G110ATはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RQ3G110ATTB
供給状況 | 購入可能
パッケージ | HSMT8
包装形態 | テーピング
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

HSMT8 (3.3x3.3)

端子数

8

極性

Pch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

-40

ドレイン電流 (直流) ID [A]

-35

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0123

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0098

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0123

ゲート総電荷量 Qg [nC]

46

許容損失 PD [W]

20

駆動電圧 [V]

-4.5

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

3.3x3.3 (t=0.9)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • 小型ハイパワーパッケージ(HSMT8)
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー
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