Pch -30V -5A Small Signal MOSFET - RQ1E050RP
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
×
特性:
グレード
Standard
パッケージコード
TSMT8
パッケージサイズ[mm]
3.0x2.8 (t=0.8)
推奨セット
Power Supply
端子数
8
極性
Pch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
-30
ドレイン電流 (直流) ID [A]
-5.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.036
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.032
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.022
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.036
ゲート総電荷量 Qg [nC]
13.0
許容損失 PD [W]
1.5
駆動電圧 [V]
-4.0
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
150
特長:
・4V駆動タイプ・Pチャンネル ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠