RQ1E050RP
Pch -30V -5A Small Signal MOSFET
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
主な仕様
特性:
Package Code
TSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.036
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.032
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.022
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.036
Total gate charge Qg[nC]
13
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
特長:
・4V駆動タイプ・Pチャンネル ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
