RQ1E050RP
Pch -30V -5A Small Signal MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | RQ1E050RPTR
供給状況 | 購入可能
パッケージ | TSMT8
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TSMT8

パッケージサイズ[mm]

3.0x2.8 (t=0.8)

推奨セット

Power Supply

端子数

8

極性

Pch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

-30

ドレイン電流 (直流) ID [A]

-5.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.036

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.032

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.022

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.036

ゲート総電荷量 Qg [nC]

13.0

許容損失 PD [W]

1.5

駆動電圧 [V]

-4.0

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

・4V駆動タイプ
・Pチャンネル　ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
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新商品一覧

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域（SOA）の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • MOSFETの仕様書に記載している用語説明
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • MOSFET の破壊メカニズムについて
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは（トランジスタ）
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

シミュレーション（ログイン必要）

  • 回路データのエクスポート方法 (ROHM Solution Simulator)

デザインモデル

  • RQ1E050RP SPICE Model
  • RQ1E050RP Thermal Model (lib)

特性データ

  • 静電気耐圧データ

パッケージと品質データ

パッケージ情報

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  • 標印仕様説明
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製造データ

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輸出関連情報

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