RV3C002UN
RASMID™シリーズ Nch 20V 150mA Small Signal MOSFET

超小型パッケージ(0604サイズ)のRV3C002UNは、ポータブルデバイス用途に最適です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | RV3C002UNT2CL
供給状況 | 推奨品
パッケージ | VML0604
包装数量 | 8000
最小個装数量 | 8000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

DFN0604-3

パッケージサイズ[mm]

0.6x0.4 (t=0.36)

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

20

ドレイン電流 (直流) ID [A]

0.15

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)

2.7

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

1.7

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

1.4

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

2.7

許容損失 PD [W]

0.1

駆動電圧 [V]

1.5

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

· 超小型パッケージ(0.6x0.4x0.36mm)
·低電圧駆動のため携帯機器等に最適
·駆動回路が簡単
·静電気保護用ダイオード内蔵
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技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域（SOA）の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • MOSFETの仕様書に記載している用語説明
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • MOSFET の破壊メカニズムについて
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは（トランジスタ）
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

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