RUM001L02
1.2V駆動タイプ Nch MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RUM001L02T2CL
供給状況 | 推奨品
パッケージ | VMT3
包装数量 | 8000
最小個装数量 | 8000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

SOT-723

パッケージサイズ [mm]

1.2x1.2 (t=0.5)

JEITAパッケージ

SC-105AA

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

20

ドレイン電流 (直流) ID [A]

0.1

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)

6.0

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)

4.5

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

3.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

2.5

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

6.0

許容損失 PD [W]

0.15

駆動電圧 [V]

1.2

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

・低電圧1.2V駆動タイプ
・Nチャンネル 小信号MOSFET
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域(SOA)の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • MOSFETの仕様書に記載している用語説明
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • MOSFET の破壊メカニズムについて
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱設計とは
  • 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは(トランジスタ)
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • RUM001L02 SPICE Model
  • RUM001L02 Thermal Model (lib)
  • PSpiceモデルのシンボル作成方法

2D/3D/CAD

  • VMT3 3D STEP Data

特性データ

  • 静電気耐圧データ

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 内部構造図
  • 包装仕様
  • 標印仕様説明
  • はんだ付け条件
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について

製造データ

  • 信頼性試験結果

環境データ

  • 構成物質一覧表
  • UL難燃性について
  • REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
  • RoHS/ELV指令適合証明書

輸出関連情報

  • 輸出貿易管理令について