RSJ650N10
Nch 100V 65A Power MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RSJ650N10TL
供給状況 | 購入可能
パッケージ | LPTS (D2PAK)
包装形態 | テーピング
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
RoHS | Yes
長期供給プログラム | 9 Years

特性:

パッケージコード

TO-263 (D2PAK)

JEITAパッケージ

SC-83

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

100

ドレイン電流 (直流) ID [A]

65

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.007

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0065

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.007

ゲート総電荷量 Qg [nC]

260

許容損失 PD [W]

100

駆動電圧 [V]

4

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

10.1x13.1 (t=4.7)

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特長:

・4V駆動タイプ
・Nチャンネル パワーMOSFET
・高速スイッチング
・駆動回路が簡単
・並列使用が容易
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
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