RS7N200BH (新製品)
Nch 80V 230A, DFN5060-8S, パワーMOSFET主な仕様
特性:
推奨セット
Switching
端子数
8
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
80
ドレイン電流 (直流) ID [A]
230
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)
0.0021
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0017
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0021
ゲート総電荷量 Qg [nC]
45
許容損失 PD [W]
180
駆動電圧 [V]
6
Trr (Typ.)[ns]
78
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
パッケージサイズ [mm]
5.0x6.0 (t=1.1)
特長:
- 低オン抵抗
- ハイパワーパッケージ(DFN5060T8LSHAAE)
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
- 100%Rg及びアバランシェ耐量試験済