RS7E200BG (新製品)
Nch 30V 390A, DFN5060-8S, パワーMOSFET主な仕様
特性:
推奨セット
Switching
端子数
8
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
30
ドレイン電流 (直流) ID [A]
390
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.00075
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.00053
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.00075
ゲート総電荷量 Qg [nC]
60
許容損失 PD [W]
180
駆動電圧 [V]
4.5
Trr (Typ.)[ns]
86
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
パッケージサイズ [mm]
5.0x6.0 (t=1.1)
特長:
- 低オン抵抗
- ハイパワーパッケージ(DFN5060T8LSHAAE)
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
- 100%Rg及びアバランシェ耐量試験済