4.5V駆動タイプ Nch MOSFET - RS1E280GN
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
新規の設計にご使用いただけますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
HSOP8S (5x6)
パッケージサイズ[mm]
5.0x6.0 (t=1.0)
推奨セット
Power Supply
端子数
8
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
30
ドレイン電流 (直流) ID [A]
80.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0026
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.002
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0026
ゲート総電荷量 Qg [nC]
17.1
許容損失 PD [W]
31.0
駆動電圧 [V]
4.5
実装方式
Surface mount
Bare Die/Wafer 品番
Available: K4508
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
特長:
- 低オン抵抗
- ハイパワーパッケージ (HSOP8)
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
- 100% Rg 及びアバランシェ耐量試験済