Nch 30V 60A ミドルパワーMOSFET - RS1E180BN
RS1E180BNは小型ハイパワーパッケージ（HSOP8）で低オン抵抗のスイッチング用途に最適なMOSFETです。
×
特性:
グレード
Standard
パッケージコード
HSOP8S (5x6)
パッケージサイズ[mm]
5.0x6.0 (t=1.0)
推奨セット
Switching, Motor
端子数
8
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
30
ドレイン電流 (直流) ID [A]
60.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0049
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0035
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0049
ゲート総電荷量 Qg [nC]
23.0
許容損失 PD [W]
25.0
駆動電圧 [V]
4.5
実装方式
Surface mount
Bare Die/Wafer 品番
Available: K4016
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
特長:
- 低オン抵抗
- 小型ハイパワーパッケージ（HSOP8）
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー