RQ3E120BN
Nch 30V 21A パワーMOSFET
ハイパワーパッケージ(HSMT8)のRQ3E120BNは低オン抵抗でスイッチング用途に最適です。
主な仕様
特性:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
21
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0086
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0066
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0086
Total gate charge Qg[nC]
14
Power Dissipation (PD)[W]
16
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4012
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特長:
- 低オン抵抗
- ハイパワーパッケージ(HSMT8)
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
