RQ3E080GN
4.5V駆動タイプ Nch MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RQ3E080GNTB
供給状況 | 購入可能
パッケージ | HSMT8
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

HSMT8 (3.3x3.3)

パッケージサイズ [mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

推奨セット

Power Supply

端子数

8

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

30

ドレイン電流 (直流) ID [A]

18.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0175

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0129

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0175

ゲート総電荷量 Qg [nC]

2.8

許容損失 PD [W]

14.0

駆動電圧 [V]

4.5

実装方式

Surface mount

Bare Die/Wafer 品番

Available: K4513

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • ハイパワーパッケージ(HSMT8)
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー
  • デザインリソース

     

    技術記事

    回路設計・検証

    • 安全動作領域(SOA)の温度ディレーティングについて
    • スイッチング回路の電力損失計算
    • MOSFETの仕様書に記載している用語説明
    • スイッチング波形のモニタ方法
    • MOSFET の破壊メカニズムについて
    • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
    • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

    熱設計

    • 熱設計とは
    • 熱抵抗と放熱の基本
    • 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
    • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
    • 熱電対を用いた温度測定における注意点
    • 熱モデルとは(トランジスタ)
    • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
    • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
    • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
    • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

    モデルとツール

    デザインモデル

    • RQ3E080GN SPICE Model
    • RQ3E080GN Thermal Model (lib)
    • PSpiceモデルのシンボル作成方法

    特性データ

    • 静電気耐圧データ

    パッケージと品質データ

    パッケージ情報

    • 外形寸法図
    • 内部構造図
    • 包装仕様
    • 標印仕様説明
    • はんだ付け条件
    • 耐湿レベルについて
    • 耐ウィスカ性能について

    環境データ

    • 構成物質一覧表
    • UL難燃性について
    • REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
    • RoHS/ELV指令適合証明書

    輸出関連情報

    • 輸出貿易管理令について