RQ1E100XN
Nch 30V 10A 小信号MOSFET
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。
主な仕様
特性:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
10
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.01
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0095
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.01
Total gate charge Qg[nC]
12.7
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
特長:
・4V駆動タイプ・Ｎチャンネル ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
