4V駆動タイプ Nch MOSFET - RQ1E075XN
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
TSMT8
パッケージサイズ[mm]
3.0x2.8 (t=0.8)
推奨セット
Switching
端子数
8
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
30
ドレイン電流 (直流) ID [A]
7.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.017
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.012
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.019
ゲート総電荷量 Qg [nC]
6.8
許容損失 PD [W]
1.5
駆動電圧 [V]
4.0
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
150
特長:
・4V駆動タイプ・Ｎチャンネル ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠