RQ1C065UN
1.5V駆動タイプ Nch MOSFET
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。
主な仕様
特性:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
6.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
0.029
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.016
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.029
Total gate charge Qg[nC]
11
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
1.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
特長:
・低電圧1.5V駆動タイプ・Nチャンネル 小信号MOSFET
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
