RJ1L12BGN
Nch 60V 120A パワーMOSFET

RJ1L12BGNは面実装パッケージで低オン抵抗のスイッチング用途向けパワーMOSFETです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | RJ1L12BGNTLL
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-263AB (LPTL)
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TO-263AB

パッケージサイズ[mm]

10.1x15.1 (t=4.7)

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

60

ドレイン電流 (直流) ID [A]

120.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0027

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0021

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0027

ゲート総電荷量 Qg [nC]

94.0

許容損失 PD [W]

192.0

駆動電圧 [V]

4.5

実装方式

Surface mount

Bare Die/Wafer 品番

Available: K4828

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • ハイパワーパッケージ
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • アバランシェ耐量試験済
  • ハロゲンフリー
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