高静電破壊耐量タイプ Nch 60V 120A パワーMOSFET - RJ1L12BGN
RJ1L12BGNは面実装パッケージで低オン抵抗のスイッチング用途向けパワーMOSFETです。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
TO-263AB
パッケージサイズ[mm]
10.1x15.1 (t=4.7)
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
60
ドレイン電流 (直流) ID [A]
120.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0027
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0021
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0027
ゲート総電荷量 Qg [nC]
94.0
許容損失 PD [W]
192.0
駆動電圧 [V]
4.5
実装方式
Surface mount
Bare Die/Wafer 品番
Available: K4828
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
150
特長:
- 低オン抵抗
- ハイパワーパッケージ
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- アバランシェ耐量試験済
- ハロゲンフリー