0.9V駆動タイプ Nch MOSFET - RE1J002YN
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。
新規の設計にご使用いただけますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
SOT-416FL
JEITAパッケージ
SC-89
パッケージサイズ[mm]
1.6x1.6 (t=0.7)
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
50
ドレイン電流 (直流) ID [A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=0.9V(Typ.)
3.0
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)
2.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)
2.0
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
3.0
許容損失 PD [W]
0.15
駆動電圧 [V]
0.9
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
特長:
・低電圧0.9V駆動タイプ・Ｎチャンネル 小信号MOSFET
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠