Nch 60V 80A Power MOSFET - RD3L08BGN
RD3L08BGNは低オン抵抗のパワーMOSFETです。スイッチング用途に最適です。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
TO-252 (DPAK)
JEITAパッケージ
SC-63
パッケージサイズ[mm]
6.6x10.0 (t=2.3)
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
60
ドレイン電流 (直流) ID [A]
80.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0057
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0042
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0057
ゲート総電荷量 Qg [nC]
38.0
許容損失 PD [W]
119.0
駆動電圧 [V]
4.5
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
特長:
- 低オン抵抗
- ハイパワーパッケージ(TO-252)
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー