デザインモデル
- RD3L08BGN SPICE Model
- PSpiceモデルのシンボル作成方法
特性データ
- RD3L08BGN ESD Data
RD3L08BGN
主な仕様
特性:
グレード
Standard
パッケージコード
TO-252 (DPAK)
JEITAパッケージ
SC-63
パッケージサイズ[mm]
6.6x10.0 (t=2.3)
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
60
ドレイン電流 (直流) ID [A]
80.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0057
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0042
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0057
ゲート総電荷量 Qg [nC]
38.0
許容損失 PD [W]
119.0
駆動電圧 [V]
4.5
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
特長:
- 低オン抵抗
- ハイパワーパッケージ(TO-252)
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
デザインリソース
技術記事
回路設計・検証
- 安全動作領域（SOA）の温度ディレーティングについて
- スイッチング回路の電力損失計算
- スイッチング波形のモニタ方法
- MOSFETの仕様書に記載している用語説明
- MOSFET の破壊メカニズムについて
- パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
- バイパスコンデンサのインピーダンス特性
熱設計
- 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
- 熱電対を用いた温度測定における注意点
- 熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
- pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
- 熱モデルとは（トランジスタ）
- MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
- 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
- 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点
モデルとツール
デザインモデル
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特性データ
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パッケージと品質データ
パッケージ情報
- 外形寸法図
- 標印仕様説明
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輸出関連情報
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