RD3G600GN
Nch 40V 60A Power MOSFET

RD3G600GNは低オン抵抗のパワーMOSFETです。スイッチング用途に最適です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | RD3G600GNTL
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-252
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TO-252 (DPAK)

パッケージサイズ [mm]

6.6x10 (t=2.2)

JEITAパッケージ

SC-63

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

40

ドレイン電流 (直流) ID [A]

60.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0033

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0028

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0033

ゲート総電荷量 Qg [nC]

23.5

許容損失 PD [W]

40.0

駆動電圧 [V]

4.5

実装方式

Surface mount

Bare Die/Wafer 品番

Available: K4733

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • ハイパワーパッケージ(TO-252)
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー
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