デザインモデル
- QS8M31 Thermal Model (lib)
- PSpiceモデルのシンボル作成方法
特性データ
- QS8M31 ESD Data
QS8M31
主な仕様
特性:
グレード
Standard
パッケージコード
TSMT8
パッケージサイズ [mm]
3x2.8 (t=0.85)
端子数
8
極性
Nch+Pch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
60
ドレイン電流 (直流) ID [A]
3.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.098
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.093
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.08
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.098
ゲート総電荷量 Qg [nC]
4.0
許容損失 PD [W]
1.5
駆動電圧 [V]
4.0
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
特長:
· 低オン抵抗· 小型面実装パッケージで省スペース
· 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
· ハロゲンフリー
デザインリソース
技術記事
回路設計・検証
- 安全動作領域（SOA）の温度ディレーティングについて
- スイッチング回路の電力損失計算
- スイッチング波形のモニタ方法
- MOSFETの仕様書に記載している用語説明
- MOSFET の破壊メカニズムについて
- パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
- バイパスコンデンサのインピーダンス特性
熱設計
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- 熱抵抗と放熱の基本
- 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
- 熱電対を用いた温度測定における注意点
- 熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
- pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
- 熱モデルとは（トランジスタ）
- MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
- 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
- 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点
モデルとツール
デザインモデル
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