QS8K21
4Ｖ駆動タイプ Nch+Nch MOSFET
電界効果トランジスタのMOSFET。Nch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。 モータ駆動に最適なデュアルMOSFET、裏面放熱パッケージの新開発品の仕様書を公開しております。
主な仕様
特性:
パッケージコード
TSMT8
端子数
8
極性
Nch+Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
45
ドレイン電流 (直流) ID [A]
4
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.053
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.048
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.038
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.053
ゲート総電荷量 Qg [nC]
5.4
許容損失 PD [W]
1.5
駆動電圧 [V]
4
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
パッケージサイズ [mm]
3x2.8 (t=0.85)
特長:
・4V駆動タイプ・Nch+Nch ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
