QS8K21
4V駆動タイプ Nch+Nch MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。Nch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

モータ駆動に最適なデュアルMOSFET、裏面放熱パッケージの新開発品の仕様書を公開しております。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | QS8K21TR
供給状況 | 購入可能
パッケージ | TSMT8
包装形態 | テーピング
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

TSMT8

端子数

8

極性

Nch+Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

45

ドレイン電流 (直流) ID [A]

4

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.053

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.048

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.038

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.053

ゲート総電荷量 Qg [nC]

5.4

許容損失 PD [W]

1.5

駆動電圧 [V]

4

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

3.0x2.8 (t=0.85)

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特長:

・4V駆動タイプ
・Nch+Nch ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
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