QS8K21
4Ｖ駆動タイプ Nch+Nch MOSFET
電界効果トランジスタのMOSFET。Nch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。 モータ駆動に最適なデュアルMOSFET、裏面放熱パッケージの新開発品の仕様書を公開しております。
主な仕様
特性:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
45
Drain Current ID[A]
4
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.053
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.048
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.038
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.053
Total gate charge Qg[nC]
5.4
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
特長:
・4V駆動タイプ・Nch+Nch ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
