QS8K11
4Ｖ駆動タイプ Nch+Nch MOSFET
電界効果トランジスタのMOSFET。Nch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
主な仕様
特性:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
3.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.05
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.045
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.035
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.05
Total gate charge Qg[nC]
3.3
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
特長:
・4V駆動タイプ・Nch+Nch ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
