HP8M51
100V Nch+Pch Power MOSFET

HP8M51TB1は小型ハイパワーパッケージ(HSOP8)で低オン抵抗のスイッチング用途に最適なMOSFETです。

モータ駆動に最適なデュアルMOSFET、裏面放熱パッケージの新開発品の仕様書を公開しております。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | HP8M51TB1
供給状況 | 推奨品
パッケージ | HSOP8 (Symmetry Dual)
包装形態 | テーピング
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
RoHS | Yes
長期供給プログラム | 9 Years

特性:

パッケージコード

HSOP8D (5x6)

端子数

8

極性

Nch+Pch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

100

ドレイン電流 (直流) ID [A]

4.5

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.13

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.12

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.13

ゲート総電荷量 Qg [nC]

8.5

許容損失 PD [W]

7

駆動電圧 [V]

4.5

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

4.9x6.0 (t=1.1)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省スペース
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー
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