ROHM Product Detail

HP8KE7
100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET

HP8KE7はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | HP8KE7TB1
供給状況 | 推奨品
パッケージ | HSOP8 (Symmetry Dual)
包装形態 | テーピング
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
RoHS | Yes

特性:

Package Code

HSOP8D (5x6)

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

24

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.0186

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.0151

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.0186

Total gate charge Qg[nC]

10.5

Power Dissipation (PD)[W]

26

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

6.0x4.9 (t=1.1)

Find Similar

特長:

  • 低オン抵抗
  • 小型ハイパワーパッケージ(HSMT8)
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー

製品概要

 

背景

近年、通信基地局や産業機器では、電流値を下げることによる高効率化を目的として、従来の12V / 24V系統から48V系統に電源の高圧化が進んでいます。また、これらの機器を冷却するためのファンモーターにおいても、48V系統の電源が使用されており、スイッチング用途のMOSFETには、電圧変動を考慮した100V耐圧品が要求されています。一方、耐圧を高くすると、背反関係にあるオン抵抗も高くなり効率が悪化するため、高耐圧化と低オン抵抗化の両立が課題となります。一般的に、ファンモーターでは、複数個の駆動用MOSFETが使用されていますが、省スペース化の観点から、2チップを1パッケージ化したデュアルMOSFETの採用が進んでいます。

概要

ロームの最新プロセスおよび裏面放熱パッケージを採用することで、業界トップの低オン抵抗(Ron)を達成しました。また、2つのチップを1パッケージに同梱したことで面積を削減でき、機器の省スペース化に寄与します。

アプリケーション例

・通信基地局向けファンモーター
・FA機器などの産業機器向けファンモーター
・データセンターなどのサーバー向けファンモーター

関連動画&カタログ

 
Loading...
X

Most Viewed